光學平臺產品及廠家
美nano-master swc單晶圓清洗系統(tǒng)swc-3000 臺式單晶圓/掩膜版清洗系統(tǒng)swc-4000 立柜式單晶圓/掩膜版清洗系統(tǒng)swc-5000 帶25片cassette 機械手自動清洗nrt-4000 獨
更新時間:2025-07-04
美nano-master 大基片清洗機 large substrate cleaning :lsc-4000 是一款獨立式清洗機，使用計算機控制，大可支持外徑21”的基片。
更新時間:2025-07-04
韓國ecopia 全自動變溫霍爾效應測試儀 hms-5300lth,溫度范圍：80k-573k,測量材料si, sige, sic, gaas, ingaas, inp, gan, tco(including ito),alzno, fecdte, zno 等所有半導體薄膜(p 型和 n 型)；
更新時間:2025-07-04
英國quorum q150t plus 鍍金鍍碳一體機，是一款優(yōu)化設計的帶渦輪分子泵抽真空的鍍膜設備，真空度可達5x10-5mbar？梢詾R射具有超細成膜顆粒的易氧化金屬，適用于高分辨率成像。同樣地，低散射可得到均勻而致密的無定形碳膜。
更新時間:2025-07-04
suss蘇斯/休斯，evg, oai等系列光刻機用曝光燈hbo系列，suss蘇斯，evg, oai公司生產的半導體和太陽能行業(yè)用光刻機，目得到業(yè)界的廣泛認同，該系列光刻機曝光系統(tǒng)的曝光燈，主要是由德國歐司朗及日本牛尾公司生產的曝光燈進行配套供應。歐司朗/牛尾曝光燈系列，具備良好的光通量，穩(wěn)定的光強度以及優(yōu)質的品質受到業(yè)界的青睞。
更新時間:2025-07-04
adlema先進的檢漏機bt4000技 術 規(guī) 格• 尺 寸 :270x200x300mm• 重 量 :8kg• 電 源 輸 入 :24 vdc• 管 徑 :4x2, 6x4, 8x6, 10x8
更新時間:2025-07-04
美國kla insem ht原位高溫納米力學測試系統(tǒng)，納米壓痕儀，樣品加溫可達800 ℃，樣品尺寸可達10mm，裝樣系統(tǒng)與真空環(huán)境兼容
更新時間:2025-07-04
德國iplas mpcvd cyrannus® 利技術微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng)，廣泛應用于第四代半導體，射頻器件，散熱器件，光學窗口等高科技令域，晶圓生長金剛石膜，被譽為半導體終材料。
更新時間:2025-07-04
德國yxlon多用途高分辨率ct系統(tǒng)ff35 ct,微焦點、納米焦點雙射線 源配置，大限度提高多 功能性 • 單或雙射線源配置，可大限度提高 ct 應用 多功能性
更新時間:2025-07-04
100s接觸角測量儀是采用光學成像的原理，通過圖像輪廓分析方式測量樣品表面接觸角、潤濕性能、表界面張力、表面能等性能，設備性價比高、功能全面、可滿足各種常規(guī)測量需要。
更新時間:2025-07-04
德國kruss標準型dsa25接觸角測量儀，接觸角測量范圍：0-180，接觸角測量精度：±0.10，表界面張力測量范圍：0-1000mn/m；測量精度：0.01 mn/m
更新時間:2025-07-04
ure-2000 系列紫外單面光刻機此系列包含六種型號：ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時間:2025-07-04
ds-2000/14k 無掩膜單面光刻機，采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素數(shù) 1024×768，采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時間:2025-07-04
ds-2000/14g 型無掩模單面光刻機,采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素數(shù) 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像，分辨力 1um。
更新時間:2025-07-04
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機,,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，全自動）和高校教學科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進口（德國）直流汞燈，可調節(jié)光的能量密度。設備外形美觀精制，性能非？煽，自動化程度很高，操作十分方便。
更新時間:2025-07-04
ure-2000/35 型紫外單面光刻機,非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動化程度高）和高校教學科研（可靠性好，演示方便）采用自動找平，具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能，自動分離對準間隙和消除曝光間隙，采用 350w 進口（德國）直流汞燈，可調節(jié)光的能量密度。設備外形美觀精制，性能非？煽浚詣踊潭群芨，操作十分方便。
更新時間:2025-07-04
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機,曝光面積：100mm×100mm；分辨力：1.0 μm（膠厚 2.0 μm 的正膠，365nm 波長）
更新時間:2025-07-04
ure-2000/17 型紫外單面光刻機（臺式）,曝光面積：4 英寸,分辨力：1.5μm（膠厚 2 m 的正膠）,對準精度：±1μm
更新時間:2025-07-04
ure-2000/25 型紫外單面光刻機，曝光面積：4 英寸,分辨力：1 μm（膠厚 2 μm的正膠）,對準精度：± 0.8μm
更新時間:2025-07-04
ure-2000s/25 型紫外雙面光刻機，曝光面積：4 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數(shù) 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-07-04
ure-2000s/b 型紫外雙面光刻機,曝光面積：6 英寸，對準精度：± 2μm （雙面,片厚 0.8mm），± 0.8μm （單面）
更新時間:2025-07-04
ure-2000s/a8 型紫外雙面光刻機, 曝光面積：8 英寸, 曝光波長：365nm： 15mw/cm，405nm：15-30mw/cm2, 對準精度：±2 μm （雙面,片厚 0.8mm）±0.8 μm （單面）
更新時間:2025-07-04
ure-2000s/25s 型雙面光刻機，曝光面積：4 英寸（或 6 英寸），正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數(shù) 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-07-04
ure-2000s/35l（a）型紫外雙面光刻機，曝光面積：6 英寸，正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學大倍數(shù) 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-07-04
ure-2000s/35l（b）型雙面光刻機, 曝光面積：4 英寸, 正面對準采用雙目雙視場對準顯微鏡：既可通過目鏡目視對準，也可通過 ccd+顯示器對準，光學合像，光學 大倍數(shù) 400 倍，光學+電子放大 800 倍
更新時間:2025-07-04
ure-2000/30 型紫外單面光刻機,高倍率雙目雙視場顯微鏡和 22 英寸寬屏液晶顯示同時觀察對準過程，并提供 usb 輸出；既滿足高精度對準，又可用于檢測曝光結果，且曝光結果和方便存儲
更新時間:2025-07-04
ure-2000/35al 型紫外單面光刻機,曝光面積：150mm×150mm；分辨力：1.0μm（365nm 波長）,對準精度：≤±0.8μm
更新時間:2025-07-04
美國 oai 光刻機 model 200 型桌面掩模對準器系統(tǒng)，完全手工操作，輸出光譜范圍:hg: g(436海里),h(405海里),i(365nm)和310nm線，hg-xe: 260nm和220nm或led: 365nm, 395nm, 405nm
更新時間:2025-07-04
oai model 212型桌面掩模對準系統(tǒng), 輸出光譜范圍:hg: g(436nm),h(405nm),i(365nm)和310nm,hg-xe: 260 nm和220 nm或led:365 nm、395 nm和405 nm
更新時間:2025-07-04
oai model 800e 型掩模對準系統(tǒng)，各種光譜范圍選項:hg燈:g(436nm),h(405nm)， i(365nm)和310nm線，hg-xe燈:260nm和220nm
更新時間:2025-07-04
oai的面板掩模光刻機 model 6020s, 用于foplp型號6020s -半自動化或自動化,實現(xiàn)500mm x 500mm 晶圓尺寸的fo-plp加工.
更新時間:2025-07-04
nie-4000 離子束刻蝕系統(tǒng)，nir-4000 ibe/rie 雙刻蝕系統(tǒng)，通過加速的 ar 離子進行物理刻蝕或銑削。對于硅的化合物也可以通過反應離子束刻蝕的方式提高刻蝕速率和深寬比。
更新時間:2025-07-04
2012sm型自動邊緣曝光系統(tǒng)為使用標準陰影掩模技術的邊緣珠去除提供了一種經濟高效的方法。 設計用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實現(xiàn)，從而增加該生產工具的通用性和高產量。
更新時間:2025-07-04
2012sm型自動邊緣曝光系統(tǒng)為使用標準陰影掩模技術的邊緣珠去除提供了一種經濟高效的方法。 設計用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實現(xiàn)，從而增加該生產工具的通用性和高產量。
更新時間:2025-07-04
兩種型號的2000型曝光系統(tǒng)包括uv光源，強度控制電源和機器人襯底處理子系統(tǒng)。 uv光源提供發(fā)散半角<2.0％的可調強度光束。電源從200w到2,000w。強度控制器傳感器直接連接到光源，用于精確的強度監(jiān)控。機器人襯底處理系統(tǒng)是微處理器控制的，并且可以被編程以適應各種各樣的襯底尺寸。
更新時間:2025-07-04
oai 5000e型大面積掩光刻機是一種先進的高性能，全自動掩模對準器和曝光工具，可為大型平板應用提供超精密，頂，亞微米對準和分辨率。 其靈活的設計允許在各種基材（圓形或方形）上印刷高達300mm或20“×20”。 曝光系統(tǒng)兼容近，中，或深紫外范圍的光刻膠，并具有計算機控制的led顯微鏡照明，在不太理想的觀察環(huán)境中觀察。
更新時間:2025-07-04
phabler 100 紫外光刻機是一套低成本的光學曝光系統(tǒng)，但卻能獲得高分辨率的周期性結構。同傳統(tǒng)的紫外曝光機類似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結果非常均勻，質量很好。
更新時間:2025-07-04
raith 150 two可實現(xiàn)亞5nm的曝光結構，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設備對實驗室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運行。
更新時間:2025-07-04
raith 150 two可實現(xiàn)亞5nm的曝光結構，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設備對實驗室環(huán)境的容忍度，即使在相對糟糕的實驗室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運行。
更新時間:2025-07-04
德國raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機,系統(tǒng)可實現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關鍵的指標，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實驗室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對外界環(huán)境的容忍度。
更新時間:2025-07-04
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺設計，對電子束直寫應用進行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時間:2025-07-04
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺，運動行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時間:2025-07-04
瑞典 mycronic 掩膜版光刻機 fps6100，用于制作高精度掩膜版，廣泛用于半導體，tft-lcd，微電子等行業(yè)。
更新時間:2025-07-04
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