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耐漏電起痕試驗(yàn)儀
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng),配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-07-03
漏電起痕指數(shù)CTI測(cè)試儀
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng),配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-07-03
高壓漏電檢測(cè)儀
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng),配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-07-03
耐電痕試驗(yàn)儀
hcld-3系列高壓耐漏電起痕試驗(yàn)儀采用西門子plc作為主控制系統(tǒng),配合高精度電壓、電流傳感器、高壓真空斷路開關(guān)、高壓交直流變壓器元件構(gòu)成。高壓耐漏電起痕試驗(yàn)是在工頻下,用液體污染和傾斜試樣評(píng)定在嚴(yán)酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料耐漏電起痕和耐電蝕損性能。其評(píng)定的方法有兩種,即恒定漏電起痕電壓法和逐升壓漏電起痕電壓法。試驗(yàn)中可采用兩種終點(diǎn)判斷法來確定試驗(yàn)終點(diǎn)。方法a是當(dāng)高壓回路中通過的電流達(dá)到或超
更新時(shí)間:2025-07-03
GSC60CN多功能電氣安全電能質(zhì)量綜合分析儀,安規(guī)儀
原裝進(jìn)口產(chǎn)品,觸摸屏操作簡(jiǎn)單。由普通電池供電,方便操作現(xiàn)場(chǎng)更換,功能強(qiáng)大,可以測(cè)量電能質(zhì)量、連續(xù)性、絕緣電阻、線路/回路阻抗、接地電阻與土壤電阻率、rcd跳閘時(shí)間和電流,無跳閘時(shí)的接地回路阻抗、接觸電壓ut、相序、泄露電流、環(huán)境參數(shù)等
更新時(shí)間:2025-07-03
合金鋼化驗(yàn)儀器,合金鋼成分分析儀
gq-hw2a電弧紅外碳硫分析儀: 主要技術(shù)指標(biāo):*測(cè)量范圍:碳(c)0.001%~10.000%(可擴(kuò)至99.999%) 硫(s)0.0005%~0.5000%(可擴(kuò)至99.999%) *分析時(shí)間:25~60s可調(diào),一般35s*分析誤差:碳優(yōu)于gb/223.69-1997標(biāo)準(zhǔn) 硫優(yōu)于gb/t223.68-1997標(biāo)準(zhǔn) *燃燒功率:小于2.5kva; *工作原理:電弧燃燒,紅外檢測(cè)
更新時(shí)間:2025-07-03
管道內(nèi)壁輪廓測(cè)量系統(tǒng)
本套管道內(nèi)壁輪廓測(cè)量系統(tǒng)是一種檢測(cè)工具,它使用激光表面輪廓測(cè)量來提供高精度的橫截面尺寸輪廓和難以觸及的管狀內(nèi)部的測(cè)量,無論其幾何形狀或材料表面如何。它特別適合定子檢查,設(shè)計(jì)用于測(cè)量長(zhǎng)度達(dá)10英尺(3米)的規(guī)則和不規(guī)則尺寸半;使檢查定子部分長(zhǎng)可達(dá)20英尺(6米)。
更新時(shí)間:2025-07-02
ASTM G76 Gas Jet空氣射流沖蝕試驗(yàn)機(jī)
說明:本套桌面式氣體沖蝕試驗(yàn)機(jī)astm-g76 gas jet用于確定攜帶顆粒的氣體射流對(duì)實(shí)驗(yàn)材料造成的磨損程度。實(shí)驗(yàn)材料可以是硬涂層和軟涂層,也可以是整塊材料。astm g76 gas jet空氣射流沖蝕試驗(yàn)機(jī)利用控制腐蝕劑流量對(duì)試樣經(jīng)行沖擊試驗(yàn)。該測(cè)試系統(tǒng)允許用戶控制顆粒尺寸、沖擊速度、入射角度、環(huán)境狀況和溫度。抬高的x軸導(dǎo)軌提供了超快動(dòng)態(tài)性
更新時(shí)間:2025-07-02
50倍尼康相干測(cè)量物鏡
干涉測(cè)量鏡頭可用在非接觸光學(xué)壓型測(cè)量設(shè)備上,通過此鏡頭可得到表面位圖和表面測(cè)量參數(shù)等。也可用來檢測(cè)表面粗糙度,測(cè)量精度非常高,在一個(gè)波長(zhǎng)之內(nèi)。一束光通過分光鏡,可將光直接射向樣品表面和內(nèi)置反光鏡。從樣品表面反射的光線通過再結(jié)合,就產(chǎn)生了干涉圖案。與mirau鏡頭比起來,michelson鏡頭擁有更長(zhǎng)的工作距離,更寬的視場(chǎng)和更大的焦深。mirau鏡頭用在需要高倍率和/或大數(shù)值孔徑的場(chǎng)合。采用niko
更新時(shí)間:2025-07-02
氣流噴砂沖蝕試驗(yàn)機(jī)
沖蝕磨損是由顆?諝馍淞髯矒粼诠腆w表面上的沖擊而引起的。侵蝕導(dǎo)致的航空航天零部件,燃?xì)廨啓C(jī),鍋爐和電廠的生命損失。為了限度地提高壽命,適當(dāng)選擇的材料在這樣的應(yīng)用中使用是必需的?諝馍淞鳑_蝕astm g76試驗(yàn)機(jī)便于在各種條件下測(cè)定的磨損率。磨損率可以用來確定在給定操作條件的材料。它也可以被用來預(yù)測(cè)使用壽命和壽命周期成本。
更新時(shí)間:2025-07-02
耳酷靈聽力篩查儀
力篩查是通過耳聲發(fā)射、自動(dòng)聽性腦干反應(yīng)和聲阻抗等電生理學(xué)檢測(cè),在受試者自然睡眠或安靜的狀態(tài)下進(jìn)行的客觀、快速和無創(chuàng)的檢查。 這個(gè)聞名于兩步篩查(oae/abr)的新版本聽力篩查儀,具有快速、準(zhǔn)確、直觀的特點(diǎn)。作為世界上值得信賴的聽篩產(chǎn)品之一,耳酷靈®為我們贏得了至高的聲譽(yù)。 顯著提高工作效率
更新時(shí)間:2025-07-02
德國(guó)Minro米諾高度計(jì)特價(jià)批發(fā)
米諾高度計(jì)非常順滑的柱塞運(yùn)動(dòng)。米諾高度計(jì)周期可靠性優(yōu)于2,000,000hz,保證高速位移時(shí)不丟失數(shù)據(jù)。米諾高度計(jì)靈活選擇的探針。米諾高度計(jì)0-50mm或0-100mm的測(cè)量范圍可選。
更新時(shí)間:2025-07-02
寧波CNC高速電火花細(xì)孔穿孔機(jī)
余姚高速電火花穿孔機(jī)采用電極管(黃銅管,紫銅管)作為工具電極利用電火花放電蝕除原理,在電極與工作之間施加高頻脈沖電源形成小脈寬,電流的放電加工,輔以高壓水冷卻排渣,使工件的蝕除速度加快,特別適用于不銹鋼,淬火鋼,銅,鋁,硬質(zhì)合金等各種導(dǎo)電材料上加工直徑0.15-2.0之間的深小孔,深度100mm,可直接在工件的斜面,曲加工,用于電火花線切割加工的穿絲孔,化纖噴絲頭,噴絲板的噴絲孔,濾板,篩板的群孔
更新時(shí)間:2025-07-02
慢走絲過濾器,慢走絲離子交換樹脂
本公司長(zhǎng)期有:三菱線切割原廠配件,沙迪克線切機(jī)原廠配件,西部線切割機(jī)原廠配件,日立線切割機(jī)原廠配件,慶鴻線切割機(jī)原廠配件,亞特/茗亞線切割機(jī)原廠配件,富士通線切割機(jī)原廠配件,夏米爾線切割機(jī)原廠配件,臺(tái)灣三貴火花機(jī)用配件等。多種線切割與打孔機(jī)配件,耗材批發(fā)出售。
更新時(shí)間:2025-07-02
磨床永磁吸盤廠家直銷保修一年
各規(guī)格型號(hào)磁盤:電磁吸盤,加工中心強(qiáng)力吸盤,磨床永磁吸盤,雕刻機(jī)細(xì)目永磁 吸盤,火花機(jī)磁盤,線切割磁盤,磨刀機(jī)專業(yè)磁盤,一體正弦臺(tái),彎弓正弦臺(tái),雙傾正弦臺(tái),旋轉(zhuǎn)磁臺(tái),直角磁臺(tái),圓形吸盤,紅銅.黃銅永磁吸盤,雙面永磁吸盤,導(dǎo)磁塊等……機(jī)床精密配件.定做非標(biāo)吸盤
更新時(shí)間:2025-07-02
日本NIKON高度計(jì)
日本 nikon高度計(jì):加高型精密高度計(jì),量程小于等于100mm的產(chǎn)品高度、厚度與深度測(cè)量。日本nikon高度計(jì):流水生產(chǎn)線可以每線一臺(tái),高精度高效測(cè)量,是高精度產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè)最佳選擇。日本nikon高度計(jì):選配特殊測(cè)針,可完成小深孔,盲孔測(cè)量,這是三坐標(biāo),影像儀,投影儀與顯微鏡無法代替的特點(diǎn),特制測(cè)頭還可測(cè)
更新時(shí)間:2025-07-02
JUKI飛達(dá)校正儀貼片機(jī)飛達(dá)校正儀 氣動(dòng)飛達(dá)校正儀/SMT飛達(dá)顯示器
商品名稱:juki feeder校正儀商品品牌:鑫鴻基/xhj商品產(chǎn)地:深圳商品尺寸(mm):l500*w350*h500商品重量:約35kg適用機(jī)型:juki系列機(jī)型
更新時(shí)間:2025-07-02
MIPI傳輸過程中的信號(hào)質(zhì)量問題
mipi傳輸過程中的信號(hào)質(zhì)量問題mipi是2003年由arm,nokia,st,it等公司成立的個(gè)聯(lián)盟,旨在把手機(jī)內(nèi)部的接口如存儲(chǔ)接口,顯示接口,射頻/基帶接口等標(biāo)準(zhǔn)化,減少兼容性問題并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2025-07-02
MIPI接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試
mipi接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試基于示波器的當(dāng)抖動(dòng)測(cè)量工具在條通道上只提供個(gè)眼圖。在通用測(cè)量中,這些工具只有6-8個(gè)測(cè)量項(xiàng)目。dpojet全面支持所有通道,包括同時(shí)測(cè)量每條通道的眼圖。
更新時(shí)間:2025-07-02
MIPI接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試 MIPI傳輸過程中的信號(hào)質(zhì)量問題 MIPI驅(qū)動(dòng)問題 重起問題
mipi接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試 mipi傳輸過程中的信號(hào)質(zhì)量問題 mipi驅(qū)動(dòng)問題 重起問題
更新時(shí)間:2025-07-02
硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn) MIPI 接口的sensor問題 MIPI接口的DSI的驅(qū)動(dòng)問題
硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問題 mipi接口的dsi的驅(qū)動(dòng)問題
更新時(shí)間:2025-07-02
MIPI LCD接口 MIPI主板 MIPI故障分析與解決 MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng)
mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決 mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開發(fā) mipi驅(qū)動(dòng)
更新時(shí)間:2025-07-02
MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn)
mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn)
更新時(shí)間:2025-07-02
MIPI調(diào)試經(jīng)驗(yàn) MIPI硬件開發(fā) MIPI驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試MIPI屏經(jīng)驗(yàn) MIPI 接口的sensor問題
mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問題
更新時(shí)間:2025-07-02
MIPI攝像頭 MIPI眼圖測(cè)試 MIPI LCD接口 MIPI主板 MIPI故障分析與解決
mipi攝像頭 mipi眼圖測(cè)試 mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決從軟件層面,再回顧下數(shù)據(jù)格式,加深在數(shù)據(jù)線上有3 種可能的操作模式:escape mode, high-speed (burst) mode and control mode,下面是從停止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入相應(yīng)模式需要的時(shí)序:
更新時(shí)間:2025-07-02
解決MIPI屏黑屏問題 MIPI調(diào)試過程 MIPI接口屏閃屏的測(cè)試 分析與解決方法
解決mipi屏黑屏問題 mipi調(diào)試過程 mipi接口屏閃屏的測(cè)試 分析與解決方法依據(jù)ccir編碼表,sav和evav之間的保護(hù)數(shù)據(jù)是被編碼過的,使用這種方法,編碼器可以糾正1-bit錯(cuò)誤,可以檢查2-bit的錯(cuò)誤。該特征只是在csi的ccir編碼中,僅僅是奇偶交錯(cuò)模式中支持。
更新時(shí)間:2025-07-02
分析與解決方法 MIPI C-PHY D-PHY 眼圖測(cè)試
分析與解決方法 mipi c-phy d-phy 眼圖測(cè)試當(dāng)幀結(jié)束或者是個(gè)在rxfifo中的完整的幀數(shù)據(jù)被全部讀出時(shí),eof中斷就產(chǎn)生了,eof并不在csi的prp模式中使用。該中斷是用在ccir奇偶域交錯(cuò)的模式下使用,該中斷當(dāng)field 1 和field 2交錯(cuò)的時(shí)候產(chǎn)生。f1_int和f2_int會(huì)產(chǎn)生
更新時(shí)間:2025-07-02
解決MIPI屏黑屏問題 MIPI調(diào)試過程 MIPI接口屏閃屏的測(cè)試
解決mipi屏黑屏問題 mipi調(diào)試過程 mipi接口屏閃屏的測(cè)試bayer數(shù)據(jù)是個(gè)從圖像傳感器獲得典型的行數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)寬度定要通過軟件轉(zhuǎn)化為rgb空間或者是yuv空間的數(shù)據(jù)格式。pack_dir bit設(shè)置為0,表示系統(tǒng)是小端,不是大端系統(tǒng)。使用p0,p1,p2,p3存放了打包了的數(shù)據(jù)內(nèi)容,p0是個(gè)data,依次,p3是個(gè)data.
更新時(shí)間:2025-07-02
MIPI CLK眼圖 DATA眼圖測(cè)試與分析 解決MIPI屏黑屏問題
mipi clk眼圖 data眼圖測(cè)試與分析 解決mipi屏黑屏問題mx27提供了個(gè)非常業(yè)的攝像頭csi接口,可以配置相關(guān)的口進(jìn)行接口匹配。我們的攝像頭是ov9660,輸出設(shè)定為yuv模式,因此,csi獲取的數(shù)據(jù)也是yuv格式的數(shù)據(jù),因此還需要通過軟件,將yuv的格式轉(zhuǎn)化為rgb565、rgb656、rgb888格式放到lcdc對(duì)應(yīng)的memory進(jìn)行顯示輸出。
更新時(shí)間:2025-07-02
MIPI C-PHY D-PHY 眼圖測(cè)試 MIPI屏 初始化指令問題
mipi c-phy d-phy 眼圖測(cè)試 mipi屏 初始化指令問題像素可以放映到你的抓圖上面的大小,該像素就是說明你的cmos或者是ccd感光元件的像素點(diǎn)多少,可以想象在相同的面積上,數(shù)量越多,感光元件肯定要越小,感光元件小,那么圖像的質(zhì)量其實(shí)會(huì)變差,這個(gè)當(dāng)然可以理解,但是從大的方面來說,只要鏡頭好,光源充足,那么效果也會(huì)變好,這樣畫面就比像素低的更加的細(xì)膩,所以高像素的好處就在這里。
更新時(shí)間:2025-07-02
MIPI眼圖 數(shù)據(jù) CLK眼圖 DATA眼圖測(cè)試與分析 解決MIPI屏黑屏問題 MIPI調(diào)試過程
mipi眼圖 數(shù)據(jù) clk眼圖 data眼圖測(cè)試與分析 解決mipi屏黑屏問題 mipi調(diào)試過程mx27提供了個(gè)非常業(yè)的攝像頭csi接口,可以配置相關(guān)的口進(jìn)行接口匹配。
更新時(shí)間:2025-07-02
EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC5 復(fù)位測(cè)試
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state,發(fā)送完 cid 后,emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2025-07-02
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
更新時(shí)間:2025-07-02
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host,頻率與 clk 信號(hào)相同,用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用,啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性,省去總線 tuning 過程。
更新時(shí)間:2025-07-02
CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
更新時(shí)間:2025-07-02
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
更新時(shí)間:2025-07-02
控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試 EMMC 復(fù)位測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開始接收 response。
更新時(shí)間:2025-07-02
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣,固定為 "0",在沒有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下,cmd 信號(hào)保持高電平,當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí),host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào),并開始接收 response。
更新時(shí)間:2025-07-02
clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試,眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值,不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2025-07-02
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下,data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù),其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) (byte 1,3,5...),下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)(byte 2,4,6 ...)。
更新時(shí)間:2025-07-02
復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試 EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試
復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí),host 可以發(fā)送 cmd19 命令,觸發(fā)總線測(cè)試過程(bus testing procedure),測(cè)試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2025-07-02
EMMC 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試
emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí),焊盤部分要增加敷銅禁布框,避免銅皮分布不均影響散熱,導(dǎo)致貼片虛焊。
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EMMC 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過大的問題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式,發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚夾地線,而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上,整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲,于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
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EMMC 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
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EMMC 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問題。我們通過使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
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EMMC4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上,示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗;電纜的另頭剝開,屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上,中心導(dǎo)體通過個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本,低衰減比,缺點(diǎn)是致性不好,隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
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Emmc5 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試
相關(guān)產(chǎn)品:emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來說,emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
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EMMC4 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller,包括了協(xié)議、擦寫均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2025-07-02
EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試 DQS測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface(cmd,data,clk)、memory core interface、總線接口控制(card interface controller)、電源控制、寄存器組。
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EMMC5 復(fù)位測(cè)試 CLK測(cè)試
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過發(fā)cmd的方式來實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
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